ค้นหาเว็บไซต์

Samsung กลายเป็นบริษัทแรกที่เปิดตัว HBM3E แบบ 12 สแต็ก ท่ามกลางความต้องการสูงจาก AI


ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำรายใหญ่ที่สุดของโลกกำลังเปิดตัว HBM ที่ล้ำหน้าที่สุดในปัจจุบันเพื่อใช้ประโยชน์จากการฟื้นตัวของตลาดและความต้องการ AI ที่สูง

ภาพ: ซัมซุง

ซัมซุงกล่าวเมื่อวันอังคารว่าได้พัฒนา HBM3E DRAM แบบ 12 สแต็กตัวแรกของอุตสาหกรรม ทำให้เป็นหน่วยความจำแบนด์วิธสูงที่มีความจุสูงสุดในปัจจุบัน

บริษัทเทคโนโลยียักษ์ใหญ่ของเกาหลีใต้กล่าวว่า HBM3E 12H DRAM ให้แบนด์วิธสูงสุด 1,280GB/s และความจุ 36GB แบนด์วิธและความจุทั้งหมดเพิ่มขึ้น 50% เมื่อเทียบกับ 8-stack HBM3 Samsung กล่าว

HBM ประกอบด้วยโมดูล DRAM หลายโมดูลที่ซ้อนกันในแนวตั้ง แต่ละโมดูลเรียกว่าสแต็กหรือเลเยอร์ ในกรณีของ Samsung รุ่นล่าสุด แต่ละโมดูล DRAM มีความจุ 24 กิกะบิต (Gb) เทียบเท่ากับ 3 กิกะไบต์ (GB) และมีสิบสองโมดูล

ผู้ผลิตหน่วยความจำ Samsung, SK Hynix และ Micron กำลังแข่งขันกันเพื่อซ้อนกันมากขึ้น ในขณะเดียวกันก็จำกัดความสูงของสแต็คเพื่อทำให้ชิปบางที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้และมีความจุมากขึ้น

ทั้งสามกำลังวางแผนที่จะเพิ่มผลผลิต HBM ในปีนี้ โดยที่ตลาดชิปหน่วยความจำดูเหมือนจะสิ้นสุดลง และเพื่อตอบสนองความต้องการที่สูงจากความนิยมของ AI ซึ่งเพิ่มความต้องการ GPU โดยเฉพาะที่ผลิตโดย Nvidia -- ที่เข้าคู่กับ HBM เหล่านี้

ตามที่ Samsung ระบุ บริษัทได้ใช้ฟิล์มอัดความร้อนขั้นสูงที่ไม่นำไฟฟ้า (TC NCF) เพื่อทำให้ HBM3E แบบ 12 สแต็กมีความสูงเท่ากันกับแบบ 8 สแต็กเพื่อให้ตรงตามข้อกำหนดของแพ็คเกจ ฟิล์มบางกว่าฟิล์มที่ใช้ก่อนหน้านี้ และกำจัดช่องว่างระหว่างปึกและช่องว่างระหว่างปึกลดลงเหลือ 7 ไมโครเมตร บริษัทกล่าว ทำให้ HBM3E แบบ 12 ปึกมีความหนาแน่นในแนวตั้งได้มากกว่า 20% เมื่อเทียบกับ HBM3 แบบ 8 ปึก .

Samsung กล่าวว่า TC NCF ยังอนุญาตให้ใช้ปุ่มขนาดเล็กและขนาดใหญ่ได้ โดยในระหว่างการติดชิป ปุ่มขนาดเล็กจะใช้ในพื้นที่สำหรับการส่งสัญญาณ และปุ่มขนาดใหญ่ในสถานที่ที่ต้องการการกระจายความร้อน

บริษัทยักษ์ใหญ่ด้านเทคโนโลยีแห่งนี้กล่าวว่าประสิทธิภาพและความจุที่สูงขึ้นของ HBM3E 12H จะช่วยให้ลูกค้าสามารถลดต้นทุนการเป็นเจ้าของศูนย์ข้อมูลทั้งหมดได้ สำหรับแอปพลิเคชัน AI ความเร็วเฉลี่ยของการฝึกอบรม AI สามารถเพิ่มได้ 34% และจำนวนผู้ใช้บริการอนุมานพร้อมกันสามารถเพิ่มได้ 11.5 เท่า เมื่อเทียบกับ HBM3 8H ซัมซุงกล่าว

บริษัทได้มอบตัวอย่าง HBM3E 12H ให้กับลูกค้าแล้ว และกำลังวางแผนที่จะเริ่มการผลิตจำนวนมากภายในครึ่งแรกของปีนี้

บทความที่เกี่ยวข้อง